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單機架邁向兆瓦級 英飛凌瞄準(zhǔn)AI數(shù)據(jù)中心150美元/千瓦功率半導(dǎo)體“含金量”
作者:氮化鎵代理商 發(fā)布時間:2026-05-11 14:18:23 點擊量:
AI算力軍備競賽白熱化,數(shù)據(jù)中心的能源消耗正經(jīng)歷一場結(jié)構(gòu)性變革。單機架功率從當(dāng)前的幾十千瓦向500kW乃至兆瓦(MW)級別躍遷,已成為不可逆的趨勢。在這一背景下,功率半導(dǎo)體巨頭英飛凌(Infineon)設(shè)定了一個極具野心的行業(yè)目標(biāo),將AI數(shù)據(jù)中心每千瓦功率對應(yīng)的半導(dǎo)體價值量提升至150美元。這一指標(biāo)不僅遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心,更預(yù)示著AI基礎(chǔ)設(shè)施的“含硅量”將迎來指數(shù)級增長。

AI集群的算力密度與其功耗正相關(guān)。為了支撐數(shù)萬顆GPU的協(xié)同工作,單機架的功率需求正突破物理極限。英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁 Adam White 指出,未來AI服務(wù)器機架功率將從目前的數(shù)百千瓦穩(wěn)步攀升至1MW。這種功率密度的激增,對電源分配、散熱和電能轉(zhuǎn)換效率提出了前所未有的要求。傳統(tǒng)的48V架構(gòu)因電流過大導(dǎo)致?lián)p耗劇增,迫使行業(yè)向800V高壓直流(HVDC)架構(gòu)遷移,而這正是推高功率半導(dǎo)體價值的核心驅(qū)動力。
在傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心中,功率半導(dǎo)體的價值占比相對較低。然而,在AI數(shù)據(jù)中心,這一邏輯被徹底顛覆。英飛凌測算認(rèn)為,每千瓦150美元的功率半導(dǎo)體含量是一個符合未來高功率架構(gòu)的保守目標(biāo)。這一數(shù)字的背后,是AI服務(wù)器對電能質(zhì)量、轉(zhuǎn)換效率和功率密度的極致追求。一個1MW的AI機架,僅功率半導(dǎo)體(包括GaN、SiC、硅基器件及配套控制器)的價值就可能達(dá)到15萬美元。這涵蓋了從電網(wǎng)接入、高壓直流轉(zhuǎn)換到GPU主板供電的全鏈路。為了實現(xiàn)這一價值密度,數(shù)據(jù)中心必須大規(guī)模采用氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體。它們的高頻特性是實現(xiàn)高效、緊湊型電源模塊的關(guān)鍵,也是150美元/千瓦目標(biāo)的技術(shù)底座。
為了承載兆瓦級的功率,數(shù)據(jù)中心的供電架構(gòu)正在發(fā)生根本性重構(gòu)。英飛凌與NVIDIA等廠商推動的Sidecar(外掛電源)架構(gòu)和集中式HVDC供電,將電源管理與計算單元分離。這種架構(gòu)不僅提升了可靠性,更增加了對高端功率模塊、固態(tài)斷路器和智能熔斷器的需求。
據(jù)行業(yè)估算,若全球每年新增30GW的AI算力,僅此一項就將帶來約31億美元的功率半導(dǎo)體潛在市場空間。英飛凌憑借其在硅、GaN、SiC三大技術(shù)路線的全矩陣產(chǎn)品組合,正試圖在這一高增長賽道中占據(jù)主導(dǎo)地位。隨著機架功率向MW水平擴展,150美元/千瓦不僅是技術(shù)指標(biāo),更將成為AI數(shù)據(jù)中心電力系統(tǒng)的“新單價”。
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