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三星電子在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局正加速?gòu)摹耙?guī)劃”走向“量產(chǎn)”。據(jù)行業(yè)消息，三星首條8英寸氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體代工產(chǎn)線已準(zhǔn)備就緒，預(yù)計(jì)最快在2026年第二季度投入運(yùn)營(yíng)。與此同時(shí)，其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)也計(jì)劃在今年晚些時(shí)候推出樣品，形成GaN與SiC“雙輪驅(qū)動(dòng)”的功率器件版圖。

此次即將投產(chǎn)的GaN產(chǎn)線是三星功率半導(dǎo)體戰(zhàn)略的關(guān)鍵一環(huán)。與傳統(tǒng)的6英寸產(chǎn)線相比，8英寸大晶圓在成本控制和產(chǎn)能規(guī)模上更具優(yōu)勢(shì)，更符合消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)性價(jià)比的極致追求。三星不僅負(fù)責(zé)晶圓制造，還實(shí)現(xiàn)了GaN外延片的自主生產(chǎn)，構(gòu)建了除芯片設(shè)計(jì)外的垂直生態(tài)。這意味著客戶可以獲得從材料到制造的一站式代工服務(wù)，加速產(chǎn)品上市周期。

初期，該產(chǎn)線將主要面向手機(jī)快充、數(shù)據(jù)中心電源等中低壓應(yīng)用場(chǎng)景。盡管初期營(yíng)收規(guī)模預(yù)計(jì)相對(duì)有限（低于1000億韓元），但這是三星切入快速增長(zhǎng)的新能源與工業(yè)電源市場(chǎng)的必經(jīng)之路。

在GaN主攻中高頻、高效率場(chǎng)景的同時(shí)，三星計(jì)劃在2026年第三季度左右啟動(dòng)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的樣品量產(chǎn)。首批樣品將鎖定技術(shù)相對(duì)成熟的平面型SiC MOSFET，重點(diǎn)瞄準(zhǔn)新能源汽車主驅(qū)逆變器、工業(yè)電機(jī)等高壓高可靠性領(lǐng)域。

這一“GaN+SiC”的組合拳，讓三星具備了覆蓋全電壓范圍功率器件的能力。對(duì)于深圳及珠三角的電源與新能源終端廠商而言，這提供了除英飛凌、安森美之外的又一個(gè)國(guó)際大廠供應(yīng)鏈選擇，特別是在車規(guī)級(jí)功率器件的第二供應(yīng)商驗(yàn)證上多了一個(gè)選項(xiàng)。

三星入局GaN/SiC代工，將直接加劇與DB HiTek等本土廠商，以及英飛凌、Wolfspeed等國(guó)際巨頭的競(jìng)爭(zhēng)。對(duì)于下游客戶，特別是消費(fèi)類電源廠商，8英寸GaN產(chǎn)能的釋放有望在中期帶來(lái)成本的優(yōu)化。然而，車規(guī)級(jí)SiC的驗(yàn)證周期較長(zhǎng)，其實(shí)際產(chǎn)能對(duì)2026年市場(chǎng)的直接影響可能有限，更多是長(zhǎng)周期的供應(yīng)鏈備胎準(zhǔn)備。